制造商产品编号:
FQA35N40
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FQA35N40-DG
描述:
MOSFET N-CH 400V 35A TO3P
详细描述:
N-Channel 400 V 35A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3P
库存:
12835777
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FQA35N40 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
400 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
35A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
5600 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
310W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-3P
包装 / 外壳
TO-3P-3, SC-65-3
基本产品编号
FQA3
附加信息
标准套餐
450
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
相关产品
