FJV3112RMTF
制造商产品编号:

FJV3112RMTF

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FJV3112RMTF-DG

描述:

TRANS PREBIAS NPN 40V SOT23-3
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3

库存:

12835620
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FJV3112RMTF 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极型预偏置双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
40 V
电阻器 - 基座 (R1)
47 kOhms
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA (ICBO)
频率 - 过渡
250 MHz
功率 - 最大值
200 mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包
SOT-23-3
基本产品编号
FJV311

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

零件编号
RN1413(TE85L,F)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
115
部件编号
RN1413(TE85L,F)-DG
单价
0.03
替代类型
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