制造商产品编号:
FJV3112RMTF
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FJV3112RMTF-DG
描述:
TRANS PREBIAS NPN 40V SOT23-3
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3
库存:
12835620
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FJV3112RMTF 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极型预偏置双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
40 V
电阻器 - 基座 （R1）
47 kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
频率 - 过渡
250 MHz
功率 - 最大值
200 mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包
SOT-23-3
基本产品编号
FJV311
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
替代模型
零件编号
RN1413(TE85L,F)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
115
部件编号
RN1413(TE85L,F)-DG
单价
0.03
替代类型
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