制造商产品编号:
FJP5200RTU
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FJP5200RTU-DG
描述:
TRANS NPN 250V 17A TO220-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 80 W Through Hole TO-220-3
库存:
12847473
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FJP5200RTU 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
17 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
250 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
3V @ 800mA, 8A
电流 - 集电极截止（最大值）
5µA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
55 @ 1A, 5V
功率 - 最大值
80 W
频率 - 过渡
30MHz
工作温度
-50°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-220-3
供应商设备包
TO-220-3
基本产品编号
FJP520
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
1,000
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
替代模型
零件编号
2SC5200N(S1,E,S)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
0
部件编号
2SC5200N(S1,E,S)-DG
单价
0.86
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
BUL44
TRANS NPN 400V 2A TO220
DSC750500L
TRANS NPN 20V 3A MINIP3
MJF127
TRANS PNP DARL 100V 5A TO220FP
