FJP5200RTU
制造商产品编号:

FJP5200RTU

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FJP5200RTU-DG

描述:

TRANS NPN 250V 17A TO220-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 80 W Through Hole TO-220-3

库存:

12847473
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FJP5200RTU 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
17 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
250 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
3V @ 800mA, 8A
电流 - 集电极截止(最大值)
5µA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
55 @ 1A, 5V
功率 - 最大值
80 W
频率 - 过渡
30MHz
工作温度
-50°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-220-3
供应商设备包
TO-220-3
基本产品编号
FJP520

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
1,000

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

替代模型

零件编号
2SC5200N(S1,E,S)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
0
部件编号
2SC5200N(S1,E,S)-DG
单价
0.86
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