FDZ3N513ZT
制造商产品编号:

FDZ3N513ZT

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDZ3N513ZT-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
详细描述:
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.96x0.96)

库存:

12838288
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FDZ3N513ZT 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
30 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
3.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
462mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)
+5.5V, -0.3V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
85 pF @ 15 V
FET 特性
Schottky Diode (Body)
功率耗散(最大值)
1W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 125°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
4-WLCSP (0.96x0.96)
包装 / 外壳
4-UFBGA, WLCSP
基本产品编号
FDZ3N

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
FDZ3N513ZTCT
FDZ3N513ZTDKR
FDZ3N513ZTTR

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
SI8808DB-T2-E1
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
8727
部件编号
SI8808DB-T2-E1-DG
单价
0.11
替代类型
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