制造商产品编号:
FDW2503N
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDW2503N-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
详细描述:
Mosfet Array 20V 5.5A 600mW Surface Mount 8-TSSOP
库存:
12837413
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FDW2503N 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
20V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
17nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1082pF @ 10V
功率 - 最大值
600mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商设备包
8-TSSOP
基本产品编号
FDW25
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
相关产品
EFC4627R-TR
MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP
EFC2K101NUZTDG
MOSFET 2N-CH 12V 15A 6WLCSP
FDJ1027P
MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC75-6
