制造商产品编号:
FDV303N
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDV303N-DG
描述:
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
详细描述:
N-Channel 25 V 680mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
库存:
86301 件 新原装 现货
12850112
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FDV303N 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
25 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
680mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
2.3 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±8V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
50 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
350mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-23-3
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
FDV303
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
FDV303NCT
2156-FDV303N-OS
FDV303NCT-NDR
FDV303NDKR
FDV303NTR
ONSONSFDV303N
FDV303NTR-NDR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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