制造商产品编号:
FDV302P
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDV302P-DG
描述:
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
详细描述:
P-Channel 25 V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
库存:
12850587
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FDV302P 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
25 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
120mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
0.31 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
-8V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
11 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
350mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-23-3
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
FDV30
数据表和文档
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
FDV302PTR
FDV302PCT
2156-FDV302P-OS
FDV302PCT-NDR
2832-FDV302P-488
FDV302PTR-NDR
FDV302PDKR
2832-FDV302PTR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
TSM680P06CP ROG
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用数量
24347
部件编号
TSM680P06CP ROG-DG
单价
0.23
替代类型
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