制造商产品编号:
FDU7N60NZTU
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDU7N60NZTU-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
详细描述:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK
库存:
12848999
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FDU7N60NZTU 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
UniFET-II™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
5.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
730 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
90W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
I-PAK
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本产品编号
FDU7
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
5,040
其他名称
2156-FDU7N60NZTU-OS
ONSFSCFDU7N60NZTU
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPU80R900P7AKMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
1500
部件编号
IPU80R900P7AKMA1-DG
单价
0.47
替代类型
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