制造商产品编号:
FDU3706
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDU3706-DG
描述:
MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A IPAK
详细描述:
N-Channel 20 V 14.7A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 44W (Tc) Through Hole I-PAK
库存:
12850597
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FDU3706 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
20 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
14.7A (Ta), 50A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±12V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1882 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.8W (Ta), 44W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
I-PAK
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本产品编号
FDU37
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
75
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
相关产品
R6006JND3TL1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
FDN361BN
MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
R6006KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
