制造商产品编号:
FDS6930B
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDS6930B-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
详细描述:
Mosfet Array 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
库存:
970 件 新原装 现货
12847413
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FDS6930B 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
产品状态
Last Time Buy
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
30V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
3.8nC @ 5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
412pF @ 15V
功率 - 最大值
900mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包
8-SOIC
基本产品编号
FDS6930
数据表和文档
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
FDS6930BCT
FDS6930BTR
FDS6930BDKR
FAIFSCFDS6930B
2156-FDS6930B-OS
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
TSM4936DCS RLG
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用数量
26835
部件编号
TSM4936DCS RLG-DG
单价
0.26
替代类型
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