制造商产品编号:
FDS6912
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDS6912-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
详细描述:
Mosfet Array 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
库存:
12848801
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FDS6912 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
30V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
10nC @ 5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
740pF @ 15V
功率 - 最大值
900mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包
8-SOIC
基本产品编号
FDS69
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
FDS6912DKR
FDS6912CT
FDS6912-DG
FDS6912TR
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
CWDM305ND TR13 PBFREE
制造商
Central Semiconductor Corp
可用数量
10045
部件编号
CWDM305ND TR13 PBFREE-DG
单价
0.21
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
AOC2802_001
MOSFET 2N-CH 20V 6A 4WLCSP
AO6808
MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP
AO4801A
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC