制造商产品编号:
FDS6162N3
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDS6162N3-DG
描述:
MOSFET N-CH 20V 21A 8SO
详细描述:
N-Channel 20 V 21A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
库存:
12850681
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FDS6162N3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
20 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
21A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
73 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±12V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
5521 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-SO FLMP
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
基本产品编号
FDS61
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
FDS6162N3CT-NDR
FDS6162N3_NLCT
FDS6162N3_NLCT-DG
FDS6162N3_NLTR
FDS6162N3CT
FDS6162N3TR-NDR
FDS6162N3TR
FDS6162N3_NLTR-DG
FDS6162N3DKR
FDS6162N3_NL
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
相关产品
