制造商产品编号:
FDS5170N7
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDS5170N7-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
详细描述:
N-Channel 60 V 10.6A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
库存:
12840443
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FDS5170N7 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
10.6A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2889 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-SO FLMP
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
基本产品编号
FDS51
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
FDS5170N7_NL
FDS5170N7DKR
FDS5170N7_NLCT
FDS5170N7_NLTR
FDS5170N7CT
FDS5170N7_NLCT-DG
FDS5170N7CT-NDR
FDS5170N7_NLTR-DG
FDS5170N7TR
FDS5170N7TR-NDR
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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