FDS3812
制造商产品编号:

FDS3812

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDS3812-DG

描述:

MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
详细描述:
Mosfet Array 80V 3.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC

库存:

12930522
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FDS3812 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
80V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
74mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
634pF @ 40V
功率 - 最大值
900mW
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包
8-SOIC
基本产品编号
FDS38

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
2,500

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
IRF7103TRPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
9567
部件编号
IRF7103TRPBF-DG
单价
0.29
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