制造商产品编号:
FDS2170N3
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDS2170N3-DG
描述:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
详细描述:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
库存:
12850569
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FDS2170N3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
200 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
3A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
128mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1292 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-SO FLMP
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
基本产品编号
FDS21
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
FDS2170N3_NLCT
FDS2170N3_NLCT-DG
FDS2170N3_NLTR
FDS2170N3DKR
FDS2170N3_NL
FDS2170N3CT
FDS2170N3CT-NDR
FDS2170N3TR
FDS2170N3TR-NDR
FDS2170N3_NLTR-DG
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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