制造商产品编号:
FDR858P
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDR858P-DG
描述:
MOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8
详细描述:
P-Channel 30 V 8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
库存:
12847149
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FDR858P 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
8A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2010 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.8W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SuperSOT™-8
包装 / 外壳
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
基本产品编号
FDR85
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
FDR858P-DG
FDR858PCT
FDR858PDKR
FDR858PTR
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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