FDPF10N50UT
制造商产品编号:

FDPF10N50UT

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDPF10N50UT-DG

描述:

MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
详细描述:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220F-3

库存:

12837913
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

FDPF10N50UT 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
UniFET™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
500 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
8A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1130 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
42W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220F-3
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
基本产品编号
FDPF10

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
1,000

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
R5007FNX
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
212
部件编号
R5007FNX-DG
单价
1.02
替代类型
Similar
零件编号
TK8A55DA(STA4,Q,M)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
48
部件编号
TK8A55DA(STA4,Q,M)-DG
单价
0.67
替代类型
Direct
零件编号
TK8A50DA(STA4,Q,M)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
38
部件编号
TK8A50DA(STA4,Q,M)-DG
单价
0.53
替代类型
Similar
零件编号
TK7A55D(STA4,Q,M)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
50
部件编号
TK7A55D(STA4,Q,M)-DG
单价
0.54
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
onsemi

5LP01SP

MOSFET P-CH 50V 70MA 3SPA

onsemi

HUFA76423S3S

MOSFET N-CH 60V 35A D2PAK

onsemi

FQI7N80TU

MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK

onsemi

FDT3612

MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4