制造商产品编号:
FDP2D9N12C
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDP2D9N12C-DG
描述:
PTNG 120V N-FET TO220
详细描述:
N-Channel 120 V 18A (Ta), 210A (Tc) 2.4W (Ta), 333W (Tc) Through Hole TO-220
库存:
12839564
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FDP2D9N12C 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
120 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
18A (Ta), 210A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 686µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
8894 pF @ 60 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.4W (Ta), 333W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP2
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
800
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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