FDP12N60NZ
制造商产品编号:

FDP12N60NZ

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDP12N60NZ-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
详细描述:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-220-3

库存:

12848741
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FDP12N60NZ 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
UniFET-II™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
12A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1676 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
240W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP12

数据表和文档

附加信息

标准套餐
50
其他名称
FDP12N60NZ-DG
2156-FDP12N60NZ-OS
FDP12N60NZOS
2832-FDP12N60NZ
FAIFSCFDP12N60NZ

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
FDPF12N60NZ
制造商
onsemi
可用数量
174
部件编号
FDPF12N60NZ-DG
单价
0.90
替代类型
MFR Recommended
零件编号
STP9N60M2
制造商
STMicroelectronics
可用数量
20
部件编号
STP9N60M2-DG
单价
0.54
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