FDP12N50
制造商产品编号:

FDP12N50

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDP12N50-DG

描述:

MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
详细描述:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220-3

库存:

12839051
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FDP12N50 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
UniFET™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
500 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1315 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
165W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP12

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
1,000

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IXFP12N50P
制造商
IXYS
可用数量
300
部件编号
IXFP12N50P-DG
单价
1.71
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