FDN5630-G
制造商产品编号:

FDN5630-G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDN5630-G-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
详细描述:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

库存:

12972180
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FDN5630-G 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
500mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-23-3
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
488-FDN5630-GTR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
OBSOLETE

替代模型

零件编号
FDN5630
制造商
onsemi
可用数量
5620
部件编号
FDN5630-DG
单价
0.09
替代类型
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