FDMS86101E
制造商产品编号:

FDMS86101E

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDMS86101E-DG

描述:

MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
详细描述:
N-Channel 100 V 12.4A (Ta), 60A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

库存:

12924319
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FDMS86101E 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
100 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
12.4A (Ta), 60A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-PQFN (5x6)
包装 / 外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
FDMS86101

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
2832-FDMS86101ETR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
FDMS86101
制造商
onsemi
可用数量
3728
部件编号
FDMS86101-DG
单价
0.85
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
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