制造商产品编号:
FDMS86101A
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDMS86101A-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN
详细描述:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 60A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
库存:
344 件 新原装 现货
12838433
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FDMS86101A 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
13A (Ta), 60A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
4120 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 104W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-PQFN (5x6)
包装 / 外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
FDMS86101
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
2156-FDMS86101A
FDMS86101ADKR
FDMS86101ACT
FDMS86101ATR
FDMS86101A-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
BSC082N10LSGATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
6574
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BSC082N10LSGATMA1-DG
单价
1.20
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