制造商产品编号:
FDMS6681Z
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDMS6681Z-DG
描述:
MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN
详细描述:
P-Channel 30 V 21.1A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
库存:
12837444
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FDMS6681Z 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
21.1A (Ta), 49A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
241 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
10380 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 73W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-PQFN (5x6)
包装 / 外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
FDMS6681
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
2832-FDMS6681Z
FDMS6681ZCT
FDMS6681ZDKR
FDMS6681ZTR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
BSC030P03NS3GAUMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
24652
部件编号
BSC030P03NS3GAUMA1-DG
单价
1.09
替代类型
Similar
零件编号
PJQ5427_R2_00001
制造商
Panjit International Inc.
可用数量
0
部件编号
PJQ5427_R2_00001-DG
单价
0.46
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
FDP020N06B-F102
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
FCH22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
FDP038AN06A0
MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3