FDMS3660S
制造商产品编号:

FDMS3660S

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDMS3660S-DG

描述:

MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
详细描述:
Mosfet Array 30V 30A, 60A 1W Surface Mount Power56

库存:

5493 件 新原装 现货
12849701
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FDMS3660S 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
30A, 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.7V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1765pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-PowerTDFN
供应商设备包
Power56
基本产品编号
FDMS3660

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
FDMS3660SFSTR
FDMS3660SFSCT
FDMS3660SFSDKR
2832-FDMS3660STR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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