制造商产品编号:
FDMS3660AS
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDMS3660AS-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
详细描述:
Mosfet Array 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56
库存:
12839805
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FDMS3660AS 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
30V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
13A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.7V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30nC @ 10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2230pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-PowerTDFN
供应商设备包
Power56
基本产品编号
FDMS3660
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
FDMS3660ASDKR
FDMS3660ASCT
2832-FDMS3660ASTR
FDMS3660ASTR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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