FDMD8900
制造商产品编号:

FDMD8900

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDMD8900-DG

描述:

MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
详细描述:
Mosfet Array 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5

库存:

12836397
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FDMD8900 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
19A, 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
2605pF @ 15V
功率 - 最大值
2.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
12-PowerWDFN
供应商设备包
12-Power3.3x5
基本产品编号
FDMD89

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
2832-FDMD8900TR
FDMD8900TR
FDMD8900DKR
FDMD8900CT

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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