制造商产品编号:
FDMD8900
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDMD8900-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
详细描述:
Mosfet Array 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
库存:
12836397
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FDMD8900 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源电压 （Vdss）
30V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
19A, 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
35nC @ 10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2605pF @ 15V
功率 - 最大值
2.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
12-PowerWDFN
供应商设备包
12-Power3.3x5
基本产品编号
FDMD89
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
2832-FDMD8900TR
FDMD8900TR
FDMD8900DKR
FDMD8900CT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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