FDMB668P
制造商产品编号:

FDMB668P

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDMB668P-DG

描述:

MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
详细描述:
P-Channel 20 V 6.1A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)

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FDMB668P 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
20 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
6.1A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±8V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2085 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.9W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-MLP, MicroFET (3x1.9)
包装 / 外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
FDMB66

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
FDMB668PTR
FDMB668PCT
FDMB668PDKR

环境与出口分类

湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
PMPB33XP,115
制造商
NXP USA Inc.
可用数量
31498
部件编号
PMPB33XP,115-DG
单价
0.08
替代类型
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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