FDI030N06
制造商产品编号:

FDI030N06

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDI030N06-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

库存:

12849437
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FDI030N06 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tube
系列
PowerTrench®
产品状态
Last Time Buy
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
120A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
9815 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
231W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-262 (I2PAK)
包装 / 外壳
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本产品编号
FDI030

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
50
其他名称
2832-FDI030N06-488
2832-FDI030N06

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
NTBGS2D5N06C
制造商
onsemi
可用数量
796
部件编号
NTBGS2D5N06C-DG
单价
2.74
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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