FDG6317NZ
制造商产品编号:

FDG6317NZ

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDG6317NZ-DG

描述:

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
详细描述:
Mosfet Array 20V 700mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

库存:

3996 件 新原装 现货
12850232
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

FDG6317NZ 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
产品状态
Last Time Buy
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
700mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
1.1nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
66.5pF @ 10V
功率 - 最大值
300mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包
SC-88 (SC-70-6)
基本产品编号
FDG6317

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
FDG6317NZCT
FDG6317NZ-DG
FDG6317NZTR
FDG6317NZDKR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
PJT7808_R1_00001
制造商
Panjit International Inc.
可用数量
5859
部件编号
PJT7808_R1_00001-DG
单价
0.05
替代类型
Similar
零件编号
SI1902DL-T1-E3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
34190
部件编号
SI1902DL-T1-E3-DG
单价
0.14
替代类型
Similar
零件编号
DMN2004DWK-7
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
40057
部件编号
DMN2004DWK-7-DG
单价
0.10
替代类型
Similar
零件编号
PMGD280UN,115
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
87263
部件编号
PMGD280UN,115-DG
单价
0.06
替代类型
Similar
零件编号
PMGD175XNEX
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
8848
部件编号
PMGD175XNEX-DG
单价
0.08
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
alpha-and-omega-semiconductor

AON4803

MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8DFN

onsemi

FDMD85100

MOSFET 2N-CH 100V 10.4A POWER56

onsemi

FDS3912

MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

onsemi

FDMD8260LET60

MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER