制造商产品编号:
FDD8882
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDD8882-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA
详细描述:
N-Channel 30 V 12.6A (Ta), 55A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
库存:
343 件 新原装 现货
12847791
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FDD8882 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
12.6A (Ta), 55A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1260 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
55W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
FDD888
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
FDD8882DKR
ONSONSFDD8882
FDD8882TR
FDD8882-DG
2156-FDD8882-OS
2832-FDD8882TR
FDD8882CT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPD30N03S4L14ATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
18945
部件编号
IPD30N03S4L14ATMA1-DG
单价
0.28
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