FDD8874
制造商产品编号:

FDD8874

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDD8874-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
详细描述:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 116A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA

库存:

在线询价
13209754
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

FDD8874 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
18A (Ta), 116A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2990 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
110W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
FDD887

附加信息

标准套餐
2,500
其他名称
2166-FDD8874-488
488-FDD8874TR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
NVD4C05NT4G
制造商
onsemi
可用数量
0
部件编号
NVD4C05NT4G-DG
单价
0.74
替代类型
Similar
零件编号
PJD85N03_L2_00001
制造商
Panjit International Inc.
可用数量
0
部件编号
PJD85N03_L2_00001-DG
单价
0.20
替代类型
Similar
零件编号
STD86N3LH5
制造商
STMicroelectronics
可用数量
9946
部件编号
STD86N3LH5-DG
单价
0.50
替代类型
Similar
零件编号
STD100N3LF3
制造商
STMicroelectronics
可用数量
0
部件编号
STD100N3LF3-DG
单价
1.71
替代类型
Similar
零件编号
AOD4132
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用数量
53368
部件编号
AOD4132-DG
单价
0.37
替代类型
Similar
数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
相关产品
infineon-technologies

94-2309PBF

IC MOSFET

onsemi

NVMFS5832NLT1G

MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL

onsemi

HUF75631S3ST

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

infineon-technologies

92-0263PBF

IC MOSFET