FDD86102
制造商产品编号:

FDD86102

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDD86102-DG

描述:

MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
详细描述:
N-Channel 100 V 8A (Ta), 36A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA

库存:

9890 件 新原装 现货
12837517
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

FDD86102 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
100 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
8A (Ta), 36A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1035 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
3.1W (Ta), 62W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
FDD861

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
2,500
其他名称
FDD86102TR
FDD86102DKR
2832-FDD86102TR
FDD86102CT

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
相关产品
onsemi

FQD2N90TF

MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

onsemi

FDD86569-F085

MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

onsemi

HUF76437S3ST

MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK

onsemi

FQPF22P10

MOSFET P-CH 100V 13.2A TO220F