FDD6612A
制造商产品编号:

FDD6612A

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDD6612A-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK
详细描述:
N-Channel 30 V 9.5A (Ta), 30A (Tc) 2.8W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-252AA

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FDD6612A 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
9.5A (Ta), 30A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
9.4 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
660 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.8W (Ta), 36W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
FDD6612

数据表和文档

数据表
FDD6612A
HTML 数据表
FDD6612A-DG

附加信息

标准套餐
2,500
其他名称
FDD6612ADKR
FDD6612ACT
FDD6612ATR
FDD6612A-DG

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
DMG4468LK3-13
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
2455
部件编号
DMG4468LK3-13-DG
单价
0.16
替代类型
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制造商
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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