FDD5670
制造商产品编号:

FDD5670

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDD5670-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 52A TO252
详细描述:
N-Channel 60 V 52A (Ta) 3.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA

库存:

12847702
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

FDD5670 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
52A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
2739 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
3.8W (Ta), 83W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
FDD567

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
2,500
其他名称
FDD5670CT
FDD5670DKR
FDD5670-DG
FDD5670TR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
STD60NF06T4
制造商
STMicroelectronics
可用数量
2238
部件编号
STD60NF06T4-DG
单价
0.82
替代类型
Similar
零件编号
FDD13AN06A0
制造商
onsemi
可用数量
11834
部件编号
FDD13AN06A0-DG
单价
0.69
替代类型
MFR Recommended
零件编号
STD35NF06LT4
制造商
STMicroelectronics
可用数量
4288
部件编号
STD35NF06LT4-DG
单价
0.54
替代类型
Similar
零件编号
STD70N6F3
制造商
STMicroelectronics
可用数量
2415
部件编号
STD70N6F3-DG
单价
0.80
替代类型
Similar
零件编号
BUK7212-55B,118
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
6530
部件编号
BUK7212-55B,118-DG
单价
0.57
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
infineon-technologies

BSS192PL6327HTSA1

MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89

onsemi

FQD30N06TF_F080

MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

onsemi

FQPF13N10L

MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F

onsemi

FDD2670

MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252