制造商产品编号:
FDD2572
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDD2572-DG
描述:
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
详细描述:
N-Channel 150 V 4A (Ta), 29A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA
库存:
12848090
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FDD2572 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
150 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
4A (Ta), 29A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
54mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1770 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
135W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
FDD257
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
FDD2572CT
FDD2572-DG
FDD2572TR
FDD2572DKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
PJD30N15_L2_00001
制造商
Panjit International Inc.
可用数量
2976
部件编号
PJD30N15_L2_00001-DG
单价
0.35
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
FDA38N30
MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
FQD13N06LTM
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
AOT22N50L
MOSFET N-CH 500V 22A TO220
