制造商产品编号:
FDC658P
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDC658P-DG
描述:
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
详细描述:
P-Channel 30 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
库存:
2211 件 新原装 现货
12849028
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FDC658P 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
产品状态
Active
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
4A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
750 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.6W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SuperSOT™-6
包装 / 外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
基本产品编号
FDC658
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
FDC658PDKR
FDC658PTR
FDC658P-DG
FDC658PCT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
BSL307SPH6327XTSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
2450
部件编号
BSL307SPH6327XTSA1-DG
单价
0.23
替代类型
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