制造商产品编号:
FDC6506P
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDC6506P-DG
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
详细描述:
Mosfet Array 30V 1.8A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
库存:
12846872
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FDC6506P 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
30V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
3.5nC @ 10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
190pF @ 15V
功率 - 最大值
700mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备包
SuperSOT™-6
基本产品编号
FDC6506
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
FDC6506PDKR
FDC6506PTR
FDC6506PCT
Q9903416
2156-FDC6506PTR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
PJS6809_S1_00001
制造商
Panjit International Inc.
可用数量
12307
部件编号
PJS6809_S1_00001-DG
单价
0.10
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
