FDC642P-F085
制造商产品编号:

FDC642P-F085

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDC642P-F085-DG

描述:

MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
详细描述:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

库存:

12851085
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FDC642P-F085 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
20 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
4A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)
±8V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
640 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1.2W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SuperSOT™-6
包装 / 外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
基本产品编号
FDC642

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
FDC642P_F085DKR
FDC642P_F085TR-DG
FDC642P_F085CT
FDC642P-F085DKR
FDC642P_F085TR
FDC642P_F085P
FDC642P_F085DKR-DG
FDC642P_F085
FDC642P_F085-DG
FDC642P-F085CT
FDC642P-F085TR
FDC642P_F085CT-DG

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
SI3443DDV-T1-GE3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
13976
部件编号
SI3443DDV-T1-GE3-DG
单价
0.06
替代类型
Direct
零件编号
PMV48XPAR
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
5595
部件编号
PMV48XPAR-DG
单价
0.14
替代类型
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PMN48XP,125
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NXP Semiconductors
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3000
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单价
0.12
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单价
0.12
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