制造商产品编号:
FDC636P
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDC636P-DG
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
详细描述:
P-Channel 20 V 2.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
库存:
12848361
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FDC636P 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
20 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
2.8A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±8V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
390 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.6W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SuperSOT™-6
包装 / 外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
基本产品编号
FDC636
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
FDC636P-DG
FDC636PCT
FDC636PDKR
FDC636PTR
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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