FDC6036P
制造商产品编号:

FDC6036P

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDC6036P-DG

描述:

MOSFET 2P-CH 20V 5A SSOT6
详细描述:
Mosfet Array 20V 5A 900mW Surface Mount SuperSOT™-6

库存:

12837031
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

FDC6036P 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
992pF @ 10V
功率 - 最大值
900mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
供应商设备包
SuperSOT™-6
基本产品编号
FDC6036

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
FDC6036P_NLCT
FDC6036P_NLTR-DG
FDC6036PTR-NDR
FDC6036P_NLCT-DG
FDC6036PDKR
FDC6036P_NL
FDC6036PCT-NDR
FDC6036P_NLTR
FDC6036PCT
FDC6036PTR

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
NTHD4102PT1G
制造商
onsemi
可用数量
0
部件编号
NTHD4102PT1G-DG
单价
0.34
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
onsemi

EFC4618R-TR

MOSFET 2N-CH EFCP1818

onsemi

FDMS3606S

MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56

onsemi

ECH8660-TL-H

MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH

onsemi

FDG6322C

MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88