FDC2612
制造商产品编号:

FDC2612

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDC2612-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
详细描述:
N-Channel 200 V 1.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

库存:

12838173
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

FDC2612 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
200 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
725mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
234 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1.6W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SuperSOT™-6
包装 / 外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
基本产品编号
FDC2612

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
FDC2612-DG
FDC2612CT
FDC2612TR
FDC2612DKR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
相关产品
infineon-technologies

62-0136PBF

MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC

onsemi

FQI13N06LTU

MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK

onsemi

FDP039N08B-F102

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

onsemi

ECH8419-TL-H

MOSFET N-CH 35V 9A 8ECH