制造商产品编号:
FDB8870
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDB8870-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
详细描述:
N-Channel 30 V 23A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
库存:
12839355
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FDB8870 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
23A (Ta), 160A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
5200 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
160W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263 (D2PAK)
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
FDB887
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
800
其他名称
2156-FDB8870-OS
FDB8870FSCT
FAIFSCFDB8870
FDB8870FSTR
FDB8870FSDKR
FDB8870-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
相关产品
FCPF380N60E
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
FQPF9N50C
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
HUFA75344P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
