FDB3860
制造商产品编号:

FDB3860

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDB3860-DG

描述:

MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263
详细描述:
N-Channel 100 V 6.4A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

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FDB3860 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
6.4A (Ta), 30A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
37mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1740 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.1W (Ta), 71W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263 (D2PAK)
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
FDB386

数据表和文档

数据表
FDB3860
HTML 数据表
FDB3860-DG

附加信息

标准套餐
800
其他名称
FDB3860CT
FDB3860DKR
FDB3860TR

环境与出口分类

湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
STB30NF10T4
制造商
STMicroelectronics
可用数量
971
部件编号
STB30NF10T4-DG
单价
0.66
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0
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单价
1.18
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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