制造商产品编号:
FDB3652
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FDB3652-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
详细描述:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
库存:
12850153
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FDB3652 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
9A (Ta), 61A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 61A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2880 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
150W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263 (D2PAK)
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
FDB365
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
800
其他名称
FDB3652DKR
FDB3652TR
FDB3652-DG
FAIFSCFDB3652
2156-FDB3652
FDB3652CT
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPB70N10S3L12ATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
15020
部件编号
IPB70N10S3L12ATMA1-DG
单价
1.14
替代类型
Similar
零件编号
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制造商
Infineon Technologies
可用数量
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单价
0.79
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可用数量
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单价
0.64
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