FDB2670
制造商产品编号:

FDB2670

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FDB2670-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
详细描述:
N-Channel 200 V 19A (Ta) 93W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

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FDB2670 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
PowerTrench®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
200 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
19A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1320 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
93W (Tc)
工作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263 (D2PAK)
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
FDB267

附加信息

标准套餐
800

环境与出口分类

湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
STB30NF20
制造商
STMicroelectronics
可用数量
0
部件编号
STB30NF20-DG
单价
0.91
替代类型
Similar
零件编号
STB19NF20
制造商
STMicroelectronics
可用数量
0
部件编号
STB19NF20-DG
单价
0.62
替代类型
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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