FCPF11N65
制造商产品编号:

FCPF11N65

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FCPF11N65-DG

描述:

MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
详细描述:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F-3

库存:

12846929
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FCPF11N65 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
SuperFET™
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
650 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1490 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
36W (Tc)
工作温度
-
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220F-3
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
基本产品编号
FCPF11

附加信息

标准套餐
50

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
STF13N60M2
制造商
STMicroelectronics
可用数量
1413
部件编号
STF13N60M2-DG
单价
0.67
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