制造商产品编号:
FCPF11N60NT
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FCPF11N60NT-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
详细描述:
N-Channel 600 V 10.8A (Tc) 32.1W (Tc) Through Hole TO-220F-3
库存:
12849117
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FCPF11N60NT 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
SuperMOS™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
10.8A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
35.6 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1505 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
32.1W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220F-3
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
基本产品编号
FCPF11
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
50
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TK10A60W,S4VX
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
49
部件编号
TK10A60W,S4VX-DG
单价
1.16
替代类型
Similar
零件编号
IPA65R400CEXKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
235
部件编号
IPA65R400CEXKSA1-DG
单价
0.55
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
FDH5500
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
AON6368
MOSFET N-CH 30V 25A/52A 8DFN
FDP083N15A
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
