制造商产品编号:
FCP190N60E
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FCP190N60E-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
详细描述:
N-Channel 600 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
库存:
695 件 新原装 现货
12931646
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FCP190N60E 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tube
系列
SuperFET® II
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
20.6A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
3175 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
208W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
FCP190
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
FCP190N60EOS
FCP190N60E-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
SPP24N60C3XKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
129
部件编号
SPP24N60C3XKSA1-DG
单价
2.95
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Infineon Technologies
可用数量
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1.40
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