FCP150N65F
制造商产品编号:

FCP150N65F

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FCP150N65F-DG

描述:

MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
详细描述:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220-3

库存:

12849961
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

FCP150N65F 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tube
系列
HiPerFET™, Polar™
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
650 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
24A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 2.4mA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
3737 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
298W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
FCP150

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
50
其他名称
FCP150N65F-DG
FCP150N65FOS

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IPP60R190P6XKSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
5594
部件编号
IPP60R190P6XKSA1-DG
单价
1.19
替代类型
Similar
零件编号
STP21N65M5
制造商
STMicroelectronics
可用数量
2997
部件编号
STP21N65M5-DG
单价
2.32
替代类型
Similar
零件编号
TPH3206PD
制造商
Transphorm
可用数量
68
部件编号
TPH3206PD-DG
单价
5.39
替代类型
Similar
零件编号
STP31N65M5
制造商
STMicroelectronics
可用数量
1095
部件编号
STP31N65M5-DG
单价
1.77
替代类型
Similar
零件编号
STP28N65M2
制造商
STMicroelectronics
可用数量
932
部件编号
STP28N65M2-DG
单价
1.44
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
alpha-and-omega-semiconductor

AO3407A

MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L

alpha-and-omega-semiconductor

AOD3C50

MOSFET N-CH 500V 3A TO252

onsemi

FDB024N04AL7

MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF10N65

MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3F